CHIP CI PROGRAMABLE SMJ27C256-15JM - AUSTIN SEMICONDUCTOR, INC. - MEMORIA MICROPROGRAMABLE BORRABLE ULTRAVIOLETA
| Alta luz: |
circuitos integrados del ic,microprocesadores del circuito integrado |
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|---|---|---|---|
Detalle rápido:
Memoria microprogramable borrable ULTRAVIOLETA
Descripción:
La serie SMJ27C256 es un sistema de 262.144 mordido, las memorias borrables de la luz ultravioleta, eléctricamente microprogramables. Estos dispositivos se fabrican usando la tecnología del poder-ahorro Cmos para el interfaz de alta velocidad y simple con el MOS y los circuitos bipolares. Todas las entradas (entradas de datos incluyendo del programa) se pueden conducir por serie 54 circuitos de TTL sin el uso de resistores pullup externos. Cada salida puede conducir un circuito de TTL de la serie 54 sin los resistores externos. Las salidas de datos son el estado 3 para conectar los dispositivos múltiples con un autobús común. El SMJ27C256 es perno-compatible con 28 ROM y EPROMs del perno 256K. Se ofrece en 600mil una dual-en-línea pagackage de cerámica (sufijo de J) clasificado para la operación de -55°C a 125°C.
Porque este EPROM actúa desde una sola fuente 5V (en el modo leído), es ideal para el uso en sistemas por microprocesador. Otra fuente (13V) es necesaria para programar.
Todas las señales programadas son nivel de TTL. ¡Este dispositivo es programable por la BROCHE! Algoritmo programado del pulso.
¡La BROCHE! El algoritmo programado del pulso utiliza un VPP de 13V y un VCC de 6.5V por un tiempo programado nominal de cuatro segundos. Para programar fuera del sistema, los programadores existentes del EPROM pueden ser utilizados. Las ubicaciones se pueden programar solo, en bloques, o al azar.
Usos:
• 32.768 x 8 organizados
• Sola fuente de alimentación de +5V el ±10%
• Pin-compatible con ROM 256K y los EPROM existentes
• Todas las entradas/hacen salir completamente TTL compatible
• tecnología del Poder-ahorro Cmos
• ¡BROCHE de alta velocidad misma! Programación del pulso
• 3 almacenadores intermediarios de salida del estado
• 400-mV DC aseguró inmunidad de ruido con las cargas de TTL del standarad
• Inmunidad de Latchup de 250 mA en todos los pernos de entrada y de la salida
• Disipación de energía baja (niveles de introducción de datos del Cmos)
3Active - peor caso 165mW
3Standby - peor caso 1.7mW (niveles de la Cmos-entrada)
Especificaciones:
| número de parte. | SMJ27C256-15JM |
| Fabricante | Austin Semiconductor, inc. |
| capacidad de la fuente | 10000 |
| datecode | 10+ |
| paquete | QFP |
| observación |
acción nueva y original |
