SI6926DQ - SEMICONDUCTOR de FAIRCHILD - el CANAL N DUAL 2.5V ESPECIFICÓ el MOSFET de POWERTRENCH
Alta luz: |
circuito llevado poder del conductor,conductor llevado off-line ic |
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Detalle rápido:
El canal N dual 2.5V especificó el MOSFET de PowerTrench
Descripción:
Este canal N 2.5V especificó el MOSFET es una versión rugosa de la puerta del proceso avanzado de PowerTrench del semiconductor de Fairchild. Se ha optimizado para los usos de la gestión del poder con una amplia gama de voltaje de la impulsión de la puerta (2.5V – 12V).
Usos:
• 5,5 A, 20 V. RDS (ENCENDIDO) = 0,021 Ω @ VGS = 4,5 V
RDS (ENCENDIDO) = 0,035 Ω @ VGS = 2,5 V
• Gama extendida de VGSS (±12V) para los usos de la batería
• Carga baja de la puerta
• Tecnología del foso del alto rendimiento para extremadamente
RDS bajo (ENCENDIDO)
• Paquete del perfil bajo TSSOP-8
Especificaciones:
número de parte. | SI6926DQ |
Fabricante | Semiconductor de Fairchild |
capacidad de la fuente | 10000 |
datecode | 10+ |
paquete | TSSOP-8 |
observación | acción nueva y original |