Name: canal N superficial del soporte IRFR024NTRPBF D Pak del transistor de poder más elevado de 17a 55v 45w
Brand: IOR
SKU: IRFR024NTRPBF
Rating: 4.6 (159 reviews)

Caracteristicas Galería Descripción de producto Pida una cita

Caracteristicas

Especificaciones

Number modelo:: IRFR024NTRPBF

Tipo: circuito integrado

Nombre de la marca: Original brand

Tipo del paquete: SMD

Puerto: Shenzhen u Hong-Kong

Plazo de ejecución: días 1-3working

Alta luz:

transistor de poder más elevado 55v

transistor de poder más elevado 45w

IRFR024NTRPBF

Información básica

Lugar de origen: Fábrica original

Nombre de la marca: IOR

Certificación: ROHS COMPLIANT

Número de modelo: IRFR024NTRPBF

Pago y Envío Términos

Detalles de empaquetado: Empaquetado estándar

Tiempo de entrega: Dentro de 3days

Condiciones de pago: T/T por adelantado, Western Union, Xtransfer

Capacidad de la fuente: 1000

Galería

canal N superficial del soporte IRFR024NTRPBF D Pak del transistor de poder más elevado de 17a 55v 45w

Descripción de producto

CANAL N SUPERFICIAL 55V 17A 45W de la d PAK del TRANSISTOR de PODER MÁS ELEVADO del SOPORTE IRFR024NTRPBF

Descripción de producto detallada

Tipo del FET:

Canal N

Temperatura de funcionamiento:

-55°C ~ 175°C

Nivel de la sensibilidad de humedad (MSL):

1 (ilimitado)

Situación sin plomo/situación de RoHS:

Sin plomo/RoHS obediente

Alta luz:

transistores del mosfet del poder más elevado

transistor del mosfet del canal N

Soporte superficial RoHS del canal N 55V 17A 45W de IRFR024NTRPBF D-PAK obediente

Característica

l En-resistencia ultrabaja

l soporte de la superficie (IRFR024N)

l ventaja recta (IRFU024N)

l avanzó tecnología de proceso

l transferencia rápida

l completamente avalancha clasificada

Tipo del FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)	55V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C	17A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs	75 mOhm @ 10A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @	4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs	20nC @ 10V
Vgs (máximo)	±20V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds	370pF @ 25V
Característica del FET	-
Disipación de poder (máxima)	45W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Montaje del tipo	Soporte superficial

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