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Solo transistor de poder de alto voltaje del Mosfet DC SIHB22N60E-E3 ROHS

Cantidad de orden mínima: 10 PCS
MOQ
negotiate
Precio
Solo transistor de poder de alto voltaje del Mosfet DC SIHB22N60E-E3 ROHS
Caracteristicas Galería Descripción de producto Pida una cita
Caracteristicas
Especificaciones
Fabricante Part Number: SIHB22N60E-E3
Nombre de la marca: original
Tipo: circuito integrado
Lugar de origen: Fabricante original
DC: Lastest nuevo
Plazo de ejecución: días 1-3Working
Alta luz:

Solo transistor de poder del Mosfet

,

Transistor de poder del Mosfet ROHS

,

Transistor de alto voltaje DC del Mosfet
Información básica
Lugar de origen: Fábrica original
Nombre de la marca: VISHAY
Certificación: ROHS
Número de modelo: SIHB22N60E-E3
Pago y Envío Términos
Detalles de empaquetado: Empaquetado estándar
Tiempo de entrega: Dentro de 3days
Condiciones de pago: T/T por adelantado, Western Union, Xtransfer
Capacidad de la fuente: 1000
Descripción de producto

SOLO TRANSISTOR de PODER DE ALTO VOLTAJE del MOSFET SIHB22N60E - PAQUETE D2PAK de E3 600V 21A

 

Tipo del FET: Canal N Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Paquete: TO263-3 D2PAK
Alta luz:

transistor del mosfet del canal N

,

transistor del canal N
 

 

 

Solo transistor de poder de alto voltaje del Mosfet SIHB22N60E - paquete D2PAK de E3 600V 21A

 

SOLOS MOSFETS DEL CANAL N DE MSL 1

Especificaciones técnicas del producto

Fabricante Vishay Siliconix  
Serie -  
Empaquetado Tubo  
Situación de la parte Activo  
Tipo del FET Canal N  
Tecnología MOSFET (óxido de metal)  
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 600V  
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 21A (Tc)  
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 180 mOhm @ 11A, 10V  
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 4V @ 250µA  
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 86nC @ 10V  
Vgs (máximo) ±30V  
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 1920pF @ 100V  
Característica del FET -  
Disipación de poder (máxima) 227W (Tc)  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Montaje del tipo Soporte superficial  
Paquete del dispositivo del proveedor D2PAK  
Paquete/caso TO-263-3, ² Pak (2 ventajas + etiquetas) de D, TO-263AB

 

OPA2107AU/2K5 TI PTH05050WAZ TI
THCV231-3L/CD TI TMS320DM8168CCYG2 TI
THC63LVD1024-1LTN TI PTH08T231WAD TI
TMS320F28035PNT TI TPS65920A2ZCHR TI
INA126PA TI LMH0344SQ/NOPB TI
TPS73533DRBR TI AD5412AREZ-REEL7 TI
TPS54319RTER TI ADS1241E/1K TI
IC12715001 TI TL16C552AFNR TI
THCV235-TB TI PGA204AU/1K TI
THCV236-ZY TI ADS8505IDWR TI
ADS8326IDGKR TI TMS320LF2407APGEA TI
ADS7816U/2K5 TI AM3703CUSD100 TI
DAC7558IRHBR TI TMS320DM8148CCYEA0 TI
ADSP-21489KSWZ-4B TI LMZ23610TZE/NOPB TI
TPS75801KTTR TI TPS2115ADRBR TI
etiqueta:

Transistor de poder del Mosfet

Transistor de poder más elevado

transistor del mosfet del canal N

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