Name: Serie integrada del fet del foso del microprocesador SUD50P06-15L-E3 del transistor de poder del Mosfet
Brand: VISHAY
SKU: SUD50P06-15L-E3
Rating: 4.7 (107 reviews)

Caracteristicas Galería Descripción de producto Pida una cita

Caracteristicas

Especificaciones

Número de modelo: SUD50P06-15L-E3

Tipo: circuito integrado

Lugar de origen: Fabricante original

D/C: Newst

Puerto: Shenzhen u Hong-Kong

Plazo de ejecución: días 1-3Working

Alta luz:

Transistor de poder integrado del Mosfet

Microprocesador del transistor de poder del Mosfet

SUD50P06-15L-E3

Información básica

Lugar de origen: Fábrica original

Nombre de la marca: VISHAY

Certificación: ROHS

Número de modelo: SUD50P06-15L-E3

Pago y Envío Términos

Detalles de empaquetado: Empaquetado estándar

Tiempo de entrega: Dentro de 3days

Condiciones de pago: T/T por adelantado, Western Union, Xtransfer

Capacidad de la fuente: 1000

Galería

Serie integrada del fet del foso del microprocesador SUD50P06-15L-E3 del transistor de poder del Mosfet

Descripción de producto

SERIE DEL FET DEL FOSO DEL CHIP CI SUD50P06-15L-E3 TO252 DEL CIRCUITO INTEGRADO DE P-CH

Las mercancías condicionan:	A estrenar	Situación de la parte:	Activo
Sin plomo/Rohs:	Denuncia	Función:	Mosfet
Montaje del tipo:	Soporte superficial	Paquete:	TO-252
Alta luz:	transistor del mosfet del canal N , transistor del canal N

Serie del MOSFET P-CH 60V 50A TO252 TrenchFET del chip CI del circuito integrado SUD50P06-15L-E3

P-canal 60 V (D-S), MOSFET de 175 °C

CARACTERÍSTICAS
1, MOSFET del poder de TrenchFET®
2, temperatura de empalme de 175 °C
3, obediente a RoHS 2002/95/EC directivo

Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Empaquetado	Cinta y carrete (TR)
Situación de la parte	Activo
Tipo del FET	P-canal
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)	60V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C	50A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @	3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs	165nC @ 10V
Vgs (máximo)	±20V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds	4950pF @ 25V
Característica del FET	-
Disipación de poder (máxima)	3W (TA), 136W (Tc)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs	15 mOhm @ 17A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Montaje del tipo	Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-252, (D-Pak)
Paquete/caso	TO-252-3, DPak (2 ventajas + etiquetas), SC-63

Lista de otros componentes electrónicos en existencia
NÚMERO DE PARTE	MFG/BRAND	NÚMERO DE PARTE	MFG/BRAND
9LPRS133BKLFT	IDT	ISL62882HRTZ-T	INTERSIL
1ZB18	TOSHIBA	S1D13513B00B200	EPSON
W2F15C1038AT1A	AVX	MABACT0071	MA/COM
UP7719ASU8	MICRÓFONO	CRG05 (TE85L, Q)	TOSHIBA
MSN3010-472	COILCRAFT	PCI2050IPDV	TI
HA2-5033/883	HARRIS	MP4013	TOSHIBA
SLQ2592	UDMHGT	LT1017CS8	LINEAR
PACDN010QS	CMD	FBMH2012HM121-T	TAIYO
APL431AAC-TRG	ANPEC	MSP3415G-B8-V3	MICRONAS
ADM4850ARZ	ADI	LTC5505-2ES5#TRPBF	LT
23Z104SMNLT	PULSO	LPR550ALTR	ST
TMX320DM8148CCYE2	TI	TLE4269GL	SIEMENS
TJA1050	PHLIPH	PS8710BTQFN24GTR2-A1	DESFILE
LM2674MX-ADJ	NSC	CXD3117AR	SONY
BCM56340AOKFSBG	BRADCOM	ADS1000A0QDBVRQ1	TI
TPS79901DRVT	TI	TC74VHC273FT	TOSHIBA
TC358723XBG	TOSHIBA	MCM20027IBBL	MOTOROLA
STI5202DUD	ST	SC2677TSTR	SEMTECH
ST16C552CJ	EXAR	RT9181CB	RICHTEK
VIPER53-DIP-E	ST	DS2482S-100+T$R	MÁXIMA

etiqueta:

Persona de Contacto :	Jack
Teléfono :	+8618098974141

Serie integrada del fet del foso del microprocesador SUD50P06-15L-E3 del transistor de poder del Mosfet

Transistor de poder integrado del Mosfet

Microprocesador del transistor de poder del Mosfet

SUD50P06-15L-E3

transistor del mosfet del canal N

transistor del canal N

Transistor de poder del Mosfet

Transistor de poder más elevado

transistor del mosfet del canal N

transistor de poder del Mosfet de 600v 16a TO-247-3 IRFPC60PBF a través del agujero

150mhz - transistores M68702h del Mosfet del poder de 175mhz RF para la radio móvil de Fm

Canal N IRFP4227PBF del transistor de poder del Mosfet de IRFP4227 DC a -247AC

transistores/tiristor CLA50E1200HB del Mosfet del poder más elevado de 1200v 50a

Complemento bajo PBSS4160T del transistor de poder del Mosfet de NPN Vcesat PNP

Tres transistor positivo terminal del Mosfet de los reguladores de voltaje 5V KIA7805AF

Serie integrada del fet del foso del microprocesador SUD50P06-15L-E3 del transistor de poder del Mosfet

soporte superficial IRF640NSTRLPBF del transistor del Mosfet del canal N 200v