soporte superficial IRF640NSTRLPBF del transistor del Mosfet del canal N 200v

Soporte D2PAK de la superficie 150W (Tc) del transistor 200V 18A (Tc) del Mosfet del canal N de IRF640NSTRLPBF

¿? ¿Tecnología de proceso avanzada?

¿Grado dinámico de dv/dt? ¿temperatura de funcionamiento 175°C?

¿Transferencia rápida? ¿Completamente avalancha clasificada?

¿Facilidad de ser paralelo a?

Requisitos simples de la impulsión

Descripción

Los MOSFETs del poder de la quinta generación HEXFET® del rectificador internacional utilizan técnicas de proceso avanzadas para alcanzar extremadamente - en-resistencia baja por área del silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad que cambia rápida y el diseño construido sólidamente del dispositivo para los cuales los MOSFETs del poder de HEXFET son bien sabido, provee del diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para el uso en una amplia variedad de usos. El paquete TO-220 se prefiere universal para todos los usos comercial-industriales en los niveles de la disipación de poder a aproximadamente 50 vatios. La resistencia termal baja y el coste bajo del paquete del TO-220 contribuyen a su aceptación amplia en la industria. El D2Pak es un paquete superficial del poder del soporte capaz de acomodar a morir los tamaños hasta HEX-4. Proporciona la capacidad del poder más alto y el onresistance posible más bajo de cualquier paquete superficial existente del soporte. El D2Pak es conveniente para los usos de gran intensidad debido a su resistencia interna baja de la conexión y puede disiparse hasta 2.0W en un uso superficial típico del soporte. La versión del por-agujero (IRF640NL) está disponible para el uso lowprofile.

Fabricante	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Empaquetado	Cinta y carrete (TR)
Situación de la parte	Activo
Tipo del FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)	200V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C	18A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @	4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs	67nC @ 10V
Vgs (máximo)	±20V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds	1160pF @ 25V
Característica del FET	-
Disipación de poder (máxima)	150W (Tc)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs	150 mOhm @ 11A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Montaje del tipo	Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor	D2PAK
Paquete/caso	TO-263-3, ² Pak (2 ventajas + etiquetas) de D, TO-263AB