Name: Complemento bajo PBSS4160T del transistor de poder del Mosfet de NPN Vcesat PNP
Brand: Original
SKU: PBSS4160T, 215
Rating: 4.7 (174 reviews)

Caracteristicas Galería Descripción de producto Pida una cita

Caracteristicas

Especificaciones

Fabricante Part Number: PBSS4160T, 215

Nombre de la marca: original

Tipo: circuito integrado

Lugar de origen: Fabricante original

DC: Lastest nuevo

Plazo de ejecución: días 1-3working

Alta luz:

Transistor de poder bajo del Mosfet de Vcesat

Transistor de poder del Mosfet de NPN

PBSS4160T

Información básica

Lugar de origen: Fábrica original

Nombre de la marca: Original

Certificación: Standard Certification

Número de modelo: PBSS4160T, 215

Pago y Envío Términos

Detalles de empaquetado: Empaquetado estándar

Tiempo de entrega: Dentro de 3days

Condiciones de pago: T/T por adelantado, Western Union, Xtransfer

Capacidad de la fuente: 1000

Galería

Complemento bajo PBSS4160T del transistor de poder del Mosfet de NPN Vcesat PNP

Descripción de producto

COMPLEMENTO BAJO PBSS4160T DEL TRANSISTOR DE PODER DEL MOSFET DE NPN VCESAT PNP

Las mercancías condicionan:	A estrenar	Situación de la parte:	Activo
Sin plomo/Rohs:	Denuncia	Función:	NPN
Montaje del tipo:	Soporte superficial	Paquete:	SOT23
Alta luz:	transistor del mosfet del canal N , transistor del canal N

Transistor bajo de PBSS4160T NPN VCEsat en SOT23 un complemento plástico del paquete PNP a PBSS5160T

CARACTERÍSTICAS
• Voltaje de saturación bajo del colector-emisor VCEsat
• Alta capacidad IC e ICM de la corriente de colector
• La eficacia alta, reduce la generación de calor
• Reduce el área del tablero del circuito impreso requerida
• Reemplazo rentable para el transistor de poder medio BCP55 y BCX55.

USOS
• Segmentos importantes del uso:
– Poder automotriz de 42 V
– Infraestructura de las telecomunicaciones
– Industrial.
• Gestión del poder:
– Conversión de DC-a-DC
– Transferencia de línea de suministro.
• Conductor periférico
– Conductor en usos bajos del voltaje de fuente (e.g lámparas y LED)
– Conductor de la carga inductiva (e.g retransmisiones, zumbadores y motores).

Fabricante	Nexperia los USA Inc.
Serie	-
Empaquetado	Cinta y carrete (TR)
Situación de la parte	Activo
Tipo del transistor	NPN
Actual - colector (Ic) (máximo)	1A
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima)	60V
Saturación de Vce (máxima) @ Ib, Ic	250mV @ 100mA, 1A
Actual - atajo del colector (máximo)	100nA
Aumento actual de DC (hFE) (minuto) @ Ic, Vce	200 @ 500mA, 5V
Poder - máximo	400mW
Frecuencia - transición	220MHz
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Montaje del tipo	Soporte superficial
Paquete/caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-236AB (SOT23)
Número de parte bajo	PBSS4160

Lista de otros componentes electrónicos en existencia
NÚMERO DE PARTE	MFG/BRAND	NÚMERO DE PARTE	MFG/BRAND
ISP1104W		MPC860DECZQ50D4	FRRESCALE
IRLR2908PBF	IRF	MAX993ESD+T	MÁXIMA
A64	ST	MAX9120EXK+T	MÁXIMA
TDA4665		CY7C1360B-166AJXC	CYPRESS
RT9231	RICHTEK	S29GL01GP11FFIR10	SPANSION
PW328-30L	PIXELWO	TPS25200DRVR	TI
PCA9543AD		NQ84010TNB QL85ES	INTEL
MT18KDF1G72AZ-1G6P1	MICRÓN	YZ98223R02	TDK
LT1110CS8	LT	VLP8040T-680M	TDK
LSI53C1030CO	LSILOGIC	SPHE8202R	SUNPLUS
PKM2510EPIHSLA	ERICSSON	IRLU024NPBF	IR
WJLXT384E	CORTINA	ICS307M-02ILFT	ICS
ST4G3235BJR	STM	BD13716S	FAIRCHILD
LP3964EMPX-ADJ/NOPB	TI	BCX55-16E6327	INFINEON
ADG451BR	ADI	TLE42994E	INFINEON
NTUD3169CZT5G	EN	NJM2283M (TE2)	JRC
TG83-1505NUTR	HALO	BSS138N E6327	INFINEON
RC2010JK-07820RL	YAGEO	AD5314ARMZ-REEL7	ADI
CD4572BE	TI	1632-32.76MHZ	NDK
74LVQ00TTR	STM	SBC560	LITEON

etiqueta:

Persona de Contacto :	Jack
Teléfono :	+8618098974141

Complemento bajo PBSS4160T del transistor de poder del Mosfet de NPN Vcesat PNP

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