Name: Canal N IRFP4227PBF del transistor de poder del Mosfet de IRFP4227 DC a -247AC
Brand: Canal N IRFP4227PBF del transistor de poder del Mosfet de IRFP4227 DC a -247AC
SKU: IRFP4227PBF
Rating: 4.7 (140 reviews)

Caracteristicas Galería Descripción de producto Pida una cita

Caracteristicas

Especificaciones

Fabricante Part Number: IRFP4227PBF

Tipo: circuito integrado

Lugar de origen: Fabricante original

Descripción: Nuevo en original

DC: Lastest nuevo

Plazo de ejecución: días 1-3working

Alta luz:

Transistor de poder del Mosfet de DC

Canal N del transistor de poder del Mosfet

IRFP4227PBF

Información básica

Lugar de origen: Fábrica original

Certificación: Standard Certification

Número de modelo: IRFP4227PBF

Pago y Envío Términos

Detalles de empaquetado: Empaquetado estándar

Tiempo de entrega: Dentro de 3days

Condiciones de pago: T/T por adelantado, Western Union, Xtransfer

Capacidad de la fuente: 1000

Galería

Canal N IRFP4227PBF del transistor de poder del Mosfet de IRFP4227 DC a -247AC

Descripción de producto

TRANSISTOR DE PODER DEL MOSFET DEL CANAL N IRFP4227 A -247AC IRFP4227PBF

Las mercancías condicionan:	A estrenar	Situación de la parte:	Activo
Sin plomo/Rohs:	Denuncia	Función:	Mosfet
Montaje del tipo:	A través del agujero	Paquete:	TO247
Alta luz:	transistor del mosfet del canal N , transistor del canal N

TRANSISTOR TO-247AC IRFP4227PBF del MOSFET del CANAL N de IRFP4227 200V 65A

¿Características?
¿Tecnología de proceso avanzada?
¿Los parámetros dominantes optimizados para PDP sostienen, recuperación de energía y los usos del interruptor del paso?
El grado bajo de EPULSE para reducir la disipación de poder en PDP sostiene, recuperación de energía e interruptor del paso

¿Usos?
¿QG bajo para la respuesta rápida?
¿Alta capacidad repetidor de la corriente de pico para la operación confiable?
¿Caída corta y tiempos de subida para la transferencia rápida? ¿temperatura de empalme de funcionamiento 175°C para la aspereza mejorada?
Capacidad repetidor de la avalancha para la robustez y la confiabilidad

Fabricante	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Empaquetado	Tubo
Situación de la parte	Activo
Tipo del FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)	200V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C	65A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @	5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs	98nC @ 10V
Vgs (máximo)	±30V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds	4600pF @ 25V
Característica del FET	-
Disipación de poder (máxima)	330W (Tc)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs	25 mOhm @ 46A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 175°C (TJ)
Montaje del tipo	A través del agujero
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-247AC
Paquete/caso	TO-247-3

Lista de otros componentes electrónicos en existencia
NÚMERO DE PARTE	MFG/BRAND	NÚMERO DE PARTE	MFG/BRAND
AP4800CGM	APEC	NT68F63L	NT
ADT75ARMZ-REEL7	ADI	LPC47B373	SMSC
UPD720101GJ-UEN-A	NEC	ECHU1C471JX5	PANASONIC
TLV3501AIDBVT	TI	BQ21040DBVR	TI
ZXSC400E6TA	ZETEX	BB148
MAX758ACPA	MÁXIMA	TL3472QDRQ1	TI
IMP803LG/T	IMP	KB3926QFA1	ENE
HCPL-0601-060E	AVAGO	IDT72261LA20PF	IDT
CS1615-FSZ	CIRRUSLOGIC	CL703S1T	CORE LOGIC
DRV604PWPR	TI	293D476X9020D2T	VISHAY
VT6212LG	VÍA	TB62747AFNAG	TOSHIBA
CS5330A-KS	CIRRO	STP1612PW05MTR	ST
TDA18253HN		LF353P	TI
MCR706AT4	EN	LBEH5DU1BW-777	MURATA
BAT54S	ONSEMI	Q2015LT	LITTLEFUSE
MIC2005-0.8LYM5	MICREL	HM628512LFP-5	GOLPEE
CY7C1354B-200BGC	CYPRESS	G546B1P81U	GMT
SI7450DP-T1	VISHAY	1N4148W	DIODOS
M62320FP#CF5J	RENESAS/P	VT1612A	VÍA
K9260M	EPCOS	SCT2026CSSG	SCT

etiqueta:

Persona de Contacto :	Jack
Teléfono :	+8618098974141

Canal N IRFP4227PBF del transistor de poder del Mosfet de IRFP4227 DC a -247AC

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