transistor de poder del Mosfet de 600v 16a TO-247-3 IRFPC60PBF a través del agujero

Canal N 600V 16A (Tc) 280W (Tc) del TRANSISTOR del MOSFET de IRFPC60PBF a través del agujero TO-247-3

CARACTERÍSTICAS
• Grado dinámico de dV/dt
• Avalancha repetidor clasificada
• Agujero de montaje central aislado
• Transferencia rápida
• Facilidad de ser paralelo a
• Requisitos simples de la impulsión
• Ventaja (Pb) - disponible libre

DESCRIPCIÓN
Los MOSFETs del poder de la tercera generación de Vishay proveen del diseñador la mejor combinación de transferencia rápida, de diseño construido sólidamente del dispositivo, de en-resistencia baja y de rentabilidad. El paquete TO-247 se prefiere para los usos comercial-industriales donde los niveles de mayor potencia impiden el uso de los dispositivos TO-220. El TO-247 es similar pero superior al paquete anterior TO-218 debido a su agujero de montaje aislado. También proporciona mayor distancia de contorneamiento entre los pernos para cumplir los requisitos de la mayoría de las especificaciones de seguridad.

Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	-
Empaquetado	Tubo
Situación de la parte	Activo
Tipo del FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)	600V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C	16A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @	4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs	210nC @ 10V
Vgs (máximo)	±20V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds	3900pF @ 25V
Característica del FET	-
Disipación de poder (máxima)	280W (Tc)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs	400 mOhm @ 9.6A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo	A través del agujero
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-247-3
Paquete/caso	TO-247-3