Name: canal N IRFB38N20DPBF 3.8W 300W del transistor de poder del Mosfet de 43A 200v SMPS
Brand: IOR
SKU: IRFB38N20DPBF
Rating: 5 (159 reviews)

Caracteristicas Galería Descripción de producto Pida una cita

Caracteristicas

Especificaciones

Fabricante Part Number: IRFB38N20DPBF

Tipo: circuito integrado

Lugar de origen: Fabricante original

Nombre de la marca: Original brand

DC: Lastest nuevo

Plazo de ejecución: días 1-3working

Alta luz:

transistor de poder del mosfet 200V

Transistor de poder del Mosfet SMPS

IRFB38N20DPBF

Información básica

Lugar de origen: Fábrica original

Nombre de la marca: IOR

Certificación: ROHS

Número de modelo: IRFB38N20DPBF

Pago y Envío Términos

Detalles de empaquetado: Empaquetado estándar

Tiempo de entrega: Dentro de 3days

Condiciones de pago: T/T por adelantado, Western Union, Xtransfer

Capacidad de la fuente: 1000

Galería

canal N IRFB38N20DPBF 3.8W 300W del transistor de poder del Mosfet de 43A 200v SMPS

Descripción de producto

MOSFET del CANAL N SMPS del TRANSISTOR de PODER del MOSFET de 200V 43A 3.8W 300W IRFB38N20DPBF

Tipo del FET:

Canal N

Drene al voltaje de la fuente:

200V

Actual - dren continuo:

43A

Voltaje de la impulsión:

10V

Alta luz:

transistores del mosfet del poder más elevado

transistor del mosfet del canal N

Canal N 200V 43A 3.8W 300W de IRFB38N20DPBF a través del MOSFET del agujero TO-220AB SMPS

Usos

l convertidores de alta frecuencia de DC-DC

l TO-220 está disponible en PbF como sin plomo

Ventajas

l carga baja del Puerta-a-dren a reducir el cambiar de pérdidas

l caracterizó completamente capacitancia incluyendo COSS eficaz para simplificar diseño, (SeeApp. Nota AN1001)

l caracterizó completamente voltaje y la corriente de avalancha

Tipo del FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)	200V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C	43A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs	54 mOhm @ 26A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @	5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs	91nC @ 10V
Vgs (máximo)	±20V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds	2900pF @ 25V
Característica del FET	-
Disipación de poder (máxima)	3.8W (TA), 300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C

Lista de otros componentes electrónicos en existencia
88E3019-A0-NAJ2C000	MARVELL	CX28380-16	MNDSPEED
SAF7741HV/125		CS9211-VNG	NSC
NJM2368E	JRC	C10P20FR	NIEC
RDC19222-203	DDC	AD8130AR-REEL7	ADI
RCR3135 (B) - 332SI	RCR	TC7WH14FU	TOSHIBA
UPD780076YGK	NEC	SB2045LCT	CPE
S29GL064N90TFI040	SPANSION	PIC16LF872-I/SS	MICROCHIP
NT68168UFG	NOVATEK	UP6106M8	PUI
MX29LV160BTC-90	MXIC	MC100ELT20DR2	MOT
LM1108SF-2.5	HTC	LCMXO2-7000HC-5BG256I	ENREJADO
IDT49FCT3805Q	IDT	AD8018ARUZ-REEL7	ADI
CM1442-08CP	CMD	SSK2N7002E	FSC
TLP732F	TOSHIBA	S-1206B15-U3T1G	SEIKO
MC14069U	EN	MC74AC86DR2	EN
HG61H25B02P	RENESAS	MB605612UC-G	FUJITSU
TS31023-QFNR	SEMTECH	CAP002DG-TL	PODER
TLE2425CPSR	TI	BFP182E7764	INFINEON
TMS320C6701GJCA120	TI	TPS40077PWPR	TI
SIS620	SIS	TMS320C346BA006PZ-T	TI
PIC16LF819-I/ML	MICROCHIP	MX25L12845EZNI-10G	MXIC

etiqueta:

Persona de Contacto :	Jack
Teléfono :	+8618098974141

canal N IRFB38N20DPBF 3.8W 300W del transistor de poder del Mosfet de 43A 200v SMPS

transistor de poder del mosfet 200V

Transistor de poder del Mosfet SMPS

IRFB38N20DPBF

transistores del mosfet del poder más elevado

transistor del mosfet del canal N

Transistor de poder del Mosfet

Transistor de poder más elevado

transistor del mosfet del canal N

transistor de poder del Mosfet de 600v 16a TO-247-3 IRFPC60PBF a través del agujero

150mhz - transistores M68702h del Mosfet del poder de 175mhz RF para la radio móvil de Fm

Canal N IRFP4227PBF del transistor de poder del Mosfet de IRFP4227 DC a -247AC

transistores/tiristor CLA50E1200HB del Mosfet del poder más elevado de 1200v 50a

Complemento bajo PBSS4160T del transistor de poder del Mosfet de NPN Vcesat PNP

Tres transistor positivo terminal del Mosfet de los reguladores de voltaje 5V KIA7805AF

Serie integrada del fet del foso del microprocesador SUD50P06-15L-E3 del transistor de poder del Mosfet

soporte superficial IRF640NSTRLPBF del transistor del Mosfet del canal N 200v